NT5CC256M16CP-DINA vs K4B4G1646D-BYK0 Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng NT5CC256M16CP-DINA sa pamamagitan ng Nanya Technology at K4B4G1646D-BYK0 sa pamamagitan ng Samsung Electronics. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Nanya Technology
NT5CC256M16CP-DINA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya
NT5CC256M16CP-DINA ✓ NakahandaPagsanggunian na paghahambing
| Parametro | NT5CC256M16CP-DINA | K4B4G1646D-BYK0 |
|---|---|---|
| Brand | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Uri ng Memory | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gbit |
| Organisasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Volte ng Pagbibigay | 1.35 V (DDR3L), backward compatible to 1.5 V | 1.35 V (1.5 V compatible) |
| Rate ng Data | 1600 Mbps (DDR3-1600) | 1600 Mbps (PC3-12800) |
| Latensya ng CAS | 11 | Programmable (e.g., 11, 10, 9) |
| Burst Length | 8 | 8 (with burst chop 4) |
| Packhaging | TFBGA-96, 9 x 13 mm, 0.8 mm pitch | 96-ball FBGA |
| Hanay ng Temperature na Operasyon | -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Wala sa Halogen | Yes | — |
| Process Technology | 70nm | — |
| Interface | CMOS | — |
| Access Time | 0.225 ns | — |
| Uri ng Pagpapasok | Surface Mount | — |
| Temperature na Operasyon | — | 0°C to 85°C |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| Wala sa Halogen | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Bilang ng Pins | — | 96 |
| Die Revision | — | D-die |