NT5CC256M16CP-DINA vs K4B4G1646D-BYK0 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار NT5CC256M16CP-DINA توسط Nanya Technology و K4B4G1646D-BYK0 توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | NT5CC256M16CP-DINA | K4B4G1646D-BYK0 |
|---|---|---|
| برند | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gbit |
| سازمان | 256M x 16 | 256M x 16 |
| ولتاژ تغذیه | 1.35 V (DDR3L), backward compatible to 1.5 V | 1.35 V (1.5 V compatible) |
| نرخ داده | 1600 Mbps (DDR3-1600) | 1600 Mbps (PC3-12800) |
| تأخیر CAS | 11 | Programmable (e.g., 11, 10, 9) |
| Burst Length | 8 | 8 (with burst chop 4) |
| بسته‌بندی | TFBGA-96, 9 x 13 mm, 0.8 mm pitch | 96-ball FBGA |
| محدوده دمای کاری | -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| بدون هالوژن | Yes | — |
| Process Technology | 70nm | — |
| رابط | CMOS | — |
| Access Time | 0.225 ns | — |
| نوع نصب | Surface Mount | — |
| دمای کاری | — | 0°C to 85°C |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| بدون هالوژن | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| تعداد پین‌ها | — | 96 |
| Die Revision | — | D-die |