NT5CC256M16CP-DINA vs K4B4G1646D-BYK0 Perbandingan
Perbandingan bersamaan detil NT5CC256M16CP-DINA dari Nanya Technology dan K4B4G1646D-BYK0 dari Samsung Electronics. Bandingkan spesifikasi penting, parameter listrik, pengemasan, status cycle, harga, dan ketersediaan untuk menentukan komponen terbaik untuk kebutuhan desain Anda.
Perbandingan Spesifikasi
| Parameter Umum | NT5CC256M16CP-DINA | K4B4G1646D-BYK0 |
|---|---|---|
| Merek | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Status Lingkungan Hidup | Aktif | Aktif |
| Tipe Memori | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gbit |
| Organisasi | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Tegangan Pemuat | 1.35 V (DDR3L), backward compatible to 1.5 V | 1.35 V (1.5 V compatible) |
| Laju Data | 1600 Mbps (DDR3-1600) | 1600 Mbps (PC3-12800) |
| Latensi CAS | 11 | Programmable (e.g., 11, 10, 9) |
| Burst Length | 8 | 8 (with burst chop 4) |
| Paket | TFBGA-96, 9 x 13 mm, 0.8 mm pitch | 96-ball FBGA |
| Rentang Suhu Kerja | -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Bebas Halogen | Yes | — |
| Process Technology | 70nm | — |
| Antarmuka | CMOS | — |
| Access Time | 0.225 ns | — |
| Tipe Mounting | Surface Mount | — |
| Suhu Kerja | — | 0°C to 85°C |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| Bebas Halogen | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Jumlah Pin | — | 96 |
| Die Revision | — | D-die |