NT5CC256M16CP-DINA vs K4B4G1646D-BYK0 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma NT5CC256M16CP-DINA tarafından Nanya Technology ve K4B4G1646D-BYK0 tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | NT5CC256M16CP-DINA | K4B4G1646D-BYK0 |
|---|---|---|
| Marka | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Bellek Türü | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gbit |
| Organizasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Besleme Gerilimi | 1.35 V (DDR3L), backward compatible to 1.5 V | 1.35 V (1.5 V compatible) |
| Veri Hızı | 1600 Mbps (DDR3-1600) | 1600 Mbps (PC3-12800) |
| CAS Gecikme | 11 | Programmable (e.g., 11, 10, 9) |
| Burst Length | 8 | 8 (with burst chop 4) |
| Paket | TFBGA-96, 9 x 13 mm, 0.8 mm pitch | 96-ball FBGA |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Klorürsüz | Yes | — |
| Process Technology | 70nm | — |
| Arayüz | CMOS | — |
| Access Time | 0.225 ns | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | — |
| İşletim Sıcaklığı | — | 0°C to 85°C |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| Klorürsüz | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Pin Sayısı | — | 96 |
| Die Revision | — | D-die |