K4B4G1646E-BYMATCV vs IS43TR16256AL-107MBL तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4B4G1646E-BYMATCV द्वारा Samsung Electronics और IS43TR16256AL-107MBL द्वारा ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMATCV - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4B4G1646E-BYMATCV ✓ सक्रियISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-107MBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-107MBL ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4B4G1646E-BYMATCV | IS43TR16256AL-107MBL |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| मेमोरी आकार | 4 Gbit (256M x 16) | 4 Gbit |
| डेटा दर | 1866 Mbps | 1866 MT/s |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.35 V | 1.35 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.35 V | — |
| पैकेज | 96-ball FBGA | 96-TWBGA (9x13 mm) |
| पिन की संख्या | 96 | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -40°C to +95°C | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | 8 and 4 (with burst chop) |
| CAS लेटेंसी | Programmable (e.g., 13, 12, 11) | 13 |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| संगठन | — | 256M x 16 |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| इंटरफ़ेस | — | Parallel |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | 0°C to +95°C (case) |
| माउंटिंग प्रकार | — | Surface Mount |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |