K4B4G1646E-BYMATCV vs IS43TR16256AL-107MBL So sánh
So sánh chi tiết song song của K4B4G1646E-BYMATCV bằng Samsung Electronics và IS43TR16256AL-107MBL bằng ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMATCV - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4B4G1646E-BYMATCV ✓ Hoạt độngISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-107MBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-107MBL ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | K4B4G1646E-BYMATCV | IS43TR16256AL-107MBL |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Samsung Electronics | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu bộ nhớ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Kích thước bộ nhớ | 4 Gbit (256M x 16) | 4 Gbit |
| Tốc độ dữ liệu | 1866 Mbps | 1866 MT/s |
| Điện áp cung cấp | 1.35 V | 1.35 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.35 V | — |
| Hộp | 96-ball FBGA | 96-TWBGA (9x13 mm) |
| Số lượng chân | 96 | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -40°C to +95°C | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | 8 and 4 (with burst chop) |
| Latency CAS | Programmable (e.g., 13, 12, 11) | 13 |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Tổ chức | — | 256M x 16 |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| Giao diện | — | Parallel |
| Nhiệt độ hoạt động | — | 0°C to +95°C (case) |
| Kiểu lắp đặt | — | Surface Mount |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |