K4B4G1646E-BYMATCV vs IS43TR16256AL-107MBL موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4B4G1646E-BYMATCV بذریعہ Samsung Electronics اور IS43TR16256AL-107MBL بذریعہ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMATCV - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4B4G1646E-BYMATCV ✓ فعالISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-107MBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-107MBL ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4B4G1646E-BYMATCV | IS43TR16256AL-107MBL |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| میموری سائز | 4 Gbit (256M x 16) | 4 Gbit |
| ڈیٹا ریٹ | 1866 Mbps | 1866 MT/s |
| سپلائی وولٹیج | 1.35 V | 1.35 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.35 V | — |
| پیکیج | 96-ball FBGA | 96-TWBGA (9x13 mm) |
| پنز کی تعداد | 96 | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -40°C to +95°C | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | 8 and 4 (with burst chop) |
| CAS لیٹنسی | Programmable (e.g., 13, 12, 11) | 13 |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| تنظیم | — | 256M x 16 |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| انٹرفیس | — | Parallel |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | — | 0°C to +95°C (case) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | — | Surface Mount |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |