K4B4G1646E-BYMATCV vs IS43TR16256AL-107MBL مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4B4G1646E-BYMATCV توسط Samsung Electronics و IS43TR16256AL-107MBL توسط ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMATCV - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4B4G1646E-BYMATCV ✓ فعالISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-107MBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-107MBL ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | K4B4G1646E-BYMATCV | IS43TR16256AL-107MBL |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| اندازه حافظه | 4 Gbit (256M x 16) | 4 Gbit |
| نرخ داده | 1866 Mbps | 1866 MT/s |
| ولتاژ تغذیه | 1.35 V | 1.35 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.35 V | — |
| بسته‌بندی | 96-ball FBGA | 96-TWBGA (9x13 mm) |
| تعداد پین‌ها | 96 | — |
| محدوده دمای کاری | -40°C to +95°C | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | 8 and 4 (with burst chop) |
| تأخیر CAS | Programmable (e.g., 13, 12, 11) | 13 |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| سازمان | — | 256M x 16 |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| رابط | — | Parallel |
| دمای کاری | — | 0°C to +95°C (case) |
| نوع نصب | — | Surface Mount |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |