K4B4G1646E-BYMATCV vs IS43TR16256AL-107MBL השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4B4G1646E-BYMATCV מאת Samsung Electronics ו IS43TR16256AL-107MBL מאת ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMATCV - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4B4G1646E-BYMATCV ✓ פעילISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-107MBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-107MBL ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | K4B4G1646E-BYMATCV | IS43TR16256AL-107MBL |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| גודל זיכרון | 4 Gbit (256M x 16) | 4 Gbit |
| קצב נתונים | 1866 Mbps | 1866 MT/s |
| מתח אספקה | 1.35 V | 1.35 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.35 V | — |
| מארז | 96-ball FBGA | 96-TWBGA (9x13 mm) |
| מספר פינים | 96 | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -40°C to +95°C | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | 8 and 4 (with burst chop) |
| השהיית CAS | Programmable (e.g., 13, 12, 11) | 13 |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| ארגון | — | 256M x 16 |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| ממשק | — | Parallel |
| טמפרטורת פעולה | — | 0°C to +95°C (case) |
| סוג הרכבה | — | Surface Mount |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |