MWE6IC9100NR1 - 100W 26V GSM/EDGE RF LDMOS Amplifier | NXP
MPN: MWE6IC9100NR1 ✓ نشطMWE6IC9100NR1 نظرة عامة
An RF power amplifier (PA) is the final active stage in a wireless transmitter that boosts a low-amplitude radio signal up to watt-level power so it can reach a base-station antenna or the radiated-power budget mandated by a given air interface. LD-MOS is the dominant process technology for sub-3 GHz high-power PAs because of its high breakdown voltage, high gain, and excellent RF ruggedness. NXP's "MWxxIC" family sits at the top of the power-management hierarchy: PA module -> RF front-end -> transceiver -> baseband -> wireless system.
Key features include 100 W typical output power, 33.5 dB linear gain across the 869-960 MHz band, integrated ESD protection, on-chip matching that eliminates external baluns or harmonic filters, and a thermally enhanced gull-wing lead package designed for efficiency-cooling PCB layouts. The broadband response makes a single part number usable across multiple GSM/EDGE channel allocations, simplifying BOM and inventory for multi-band base-station designs.
Typical applications include GSM and GSM/EDGE macro base stations, cellular repeaters, industrial-radio links, and any large-signal common-source amplifier stage in the 800-1000 MHz region. When designing with this part, ensure the PCB thermal plane keeps the case- temperature below 100 C; given the 100 W dissipation and high supply voltage, a substantial copper area or forced-air cooling is mandatory for continuous CW operation.
بدائل مباشرة لـ MWE6IC9100NR1 — نفس الحزمة، متوافق دبوس بدبوس. تُستثنى القطع ذات الحزم المختلفة التي تتطلب تعديل PCB.
لا تتوفر بدائل متوافقة تمامًا لهذا المنتج.
اطلب بدائلMWE6IC9100NR1 الحدود القصوى والخصائص الكهربائية
| Manufacturer | NXP Semiconductors (formerly Freescale) |
| Part Type | RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier |
| Frequency Range | 869 MHz to 960 MHz |
| RF Type / Application | GSM, EDGE |
| Typical Output Power | 100 W (Pout, CW) |
| جهد التغذية التشغيلي | 26 V (Vdd), 28 V supply rating |
| Maximum Supply Voltage | 32 V (rated) |
| Power Gain | 33.5 dB at 960 MHz |
| العلبة / الحالة | TO-270 WB-14 (gull-wing, flat leads) |
| نوع التركيب | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel (TR) |
| Lead Configuration | Flat leads, gull-wing |
دليل تكوين أطراف MWE6IC9100NR1 to-270 wb-14 (gull-wing, flat leads)
تكوين الأطراف لـ MWE6IC9100NR1 (حزمة to-270 wb-14 (gull-wing, flat leads)). يتميز هذا المكوّن التناظري بأطراف الإدخال والإخراج وإمداد الطاقة. راجع ورقة بيانات الشركة المصنعة لتكوينات طرف إلغاء الإزاحة والتعويض والتمكين. مثالي لدوائر تكييف الإشارة والمضخمات.
لا تتوفر بيانات مفصلة لمخطط التوصيلات لـ MWE6IC9100NR1.
راجع ورقة البيانات للحصول على تكوين الأطراف الكامل.
التطبيقات النموذجية
MWE6IC9100NR1 مناسب لـ 3 التطبيقs: تكييف الإشارة, اكتساب البيانات, معالجة الصوت.
تكييف الإشارة
تضخيم وتصفية إشارات المستشعرات باستخدام MWE6IC9100NR1.
اكتساب البيانات
تحويل الإشارات التناظرية للمعالجة الرقمية باستخدام MWE6IC9100NR1.
معالجة الصوت
تضخيم ومعالجة الإشارات الصوتية باستخدام MWE6IC9100NR1.
لا تتوفر أسئلة شائعة لهذا المنتج.
بيانات مرجعية هندسية لـ MWE6IC9100NR1 — المقارنة وإرشادات التصميم ومعلومات الامتثال.
معلومات الامتثال
Compliance data not present in the verified web data; confirm with NXP product page before design-in.
