MWE6IC9100NR1 - 100W 26V GSM/EDGE RF LDMOS Amplifier | NXP
MPN: MWE6IC9100NR1 ✓ सक्रियMWE6IC9100NR1 अवलोकन
An RF power amplifier (PA) is the final active stage in a wireless transmitter that boosts a low-amplitude radio signal up to watt-level power so it can reach a base-station antenna or the radiated-power budget mandated by a given air interface. LD-MOS is the dominant process technology for sub-3 GHz high-power PAs because of its high breakdown voltage, high gain, and excellent RF ruggedness. NXP's "MWxxIC" family sits at the top of the power-management hierarchy: PA module -> RF front-end -> transceiver -> baseband -> wireless system.
Key features include 100 W typical output power, 33.5 dB linear gain across the 869-960 MHz band, integrated ESD protection, on-chip matching that eliminates external baluns or harmonic filters, and a thermally enhanced gull-wing lead package designed for efficiency-cooling PCB layouts. The broadband response makes a single part number usable across multiple GSM/EDGE channel allocations, simplifying BOM and inventory for multi-band base-station designs.
Typical applications include GSM and GSM/EDGE macro base stations, cellular repeaters, industrial-radio links, and any large-signal common-source amplifier stage in the 800-1000 MHz region. When designing with this part, ensure the PCB thermal plane keeps the case- temperature below 100 C; given the 100 W dissipation and high supply voltage, a substantial copper area or forced-air cooling is mandatory for continuous CW operation.
के लिए ड्रॉप-इन विकल्प MWE6IC9100NR1 — समान पैकेज, पिन-टू-पिन संगत। PCB रीवर्क आवश्यक करने वाले भिन्न-पैकेज पार्ट्स शामिल नहीं हैं।
इस उत्पाद के लिए कोई drop-in alternatives उपलब्ध नहीं।
विकल्प अनुरोध करेंMWE6IC9100NR1 Maximum Ratings और Electrical Characteristics
| Manufacturer | NXP Semiconductors (formerly Freescale) |
| Part Type | RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier |
| Frequency Range | 869 MHz to 960 MHz |
| RF Type / Application | GSM, EDGE |
| Typical Output Power | 100 W (Pout, CW) |
| ऑपरेटिंग सप्लाई वोल्टेज | 26 V (Vdd), 28 V supply rating |
| Maximum Supply Voltage | 32 V (rated) |
| Power Gain | 33.5 dB at 960 MHz |
| पैकेज / केस | TO-270 WB-14 (gull-wing, flat leads) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel (TR) |
| Lead Configuration | Flat leads, gull-wing |
MWE6IC9100NR1 to-270 wb-14 (gull-wing, flat leads) पिन कॉन्फ़िगरेशन गाइड
MWE6IC9100NR1 (to-270 wb-14 (gull-wing, flat leads) पैकेज) के लिए पिन कॉन्फ़िगरेशन। इस एनालॉग कंपोनेंट में इनपुट, आउटपुट और पावर सप्लाई पिन हैं। ऑफ़सेट नल, कम्पनसेशन और एनेबल पिन कॉन्फ़िगरेशन के लिए निर्माता डेटाशीट देखें। सिग्नल कंडीशनिंग और एम्प्लीफ़ायर सर्किट के लिए आदर्श।
इसके लिए कोई विस्तृत pinout data उपलब्ध नहीं: MWE6IC9100NR1.
देखें डेटाशीट पूर्ण पिन कॉन्फ़िगरेशन के लिए।
सामान्य अनुप्रयोग
MWE6IC9100NR1 के लिए उपयुक्त है 3 अनुप्रयोगs: सिग्नल कंडीशनिंग, डेटा एक्विज़िशन, ऑडियो प्रोसेसिंग.
सिग्नल कंडीशनिंग
MWE6IC9100NR1 का उपयोग करके सेंसर सिग्नल को एम्प्लीफाई और फ़िल्टर करना।
डेटा एक्विज़िशन
MWE6IC9100NR1 के साथ डिजिटल प्रोसेसिंग के लिए एनालॉग सिग्नल को कन्वर्ट करना।
ऑडियो प्रोसेसिंग
MWE6IC9100NR1 के साथ ऑडियो सिग्नल एम्प्लीफिकेशन और प्रोसेसिंग।
इस उत्पाद के लिए कोई FAQ उपलब्ध नहीं।
के लिए इंजीनियरिंग संदर्भ डेटा MWE6IC9100NR1 — तुलना, डिज़ाइन मार्गदर्शन और अनुपालन जानकारी।
अनुपालन जानकारी
Compliance data not present in the verified web data; confirm with NXP product page before design-in.
