NXP Semiconductors

MWE6IC9100NR1 - 100W 26V GSM/EDGE RF LDMOS Amplifier | NXP

MPN: MWE6IC9100NR1 ✓ פעיל
26 V (Vdd), 28 V supply rating Vdss TO-270 WB-14 (gull-wing, flat leads) Package 869 MHz to 960 MHz Speed
כמות הזמנה מינימלית: 1 |

MWE6IC9100NR1 סקירה

The NXP MWE6IC9100NR1 is a 100 W wideband integrated RF power amplifier engineered for GSM and EDGE base-station applications from 869 MHz to 960 MHz, housed in a TO-270 WB-14 (gull-wing) surface-mount package. This multi-stage LDMOS (Laterally Diffused Metal-Oxide Semiconductor) power IC integrates on-chip input and output matching, a gain of 33.5 dB at 960 MHz, and operates from a 26 V DC supply with a 28 V absolute supply rating. The part was originally introduced by Freescale Semiconductor and is now sold under NXP following the 2015 acquisition, and remains in active production as a building block for cellular infrastructure.

An RF power amplifier (PA) is the final active stage in a wireless transmitter that boosts a low-amplitude radio signal up to watt-level power so it can reach a base-station antenna or the radiated-power budget mandated by a given air interface. LD-MOS is the dominant process technology for sub-3 GHz high-power PAs because of its high breakdown voltage, high gain, and excellent RF ruggedness. NXP's "MWxxIC" family sits at the top of the power-management hierarchy: PA module -> RF front-end -> transceiver -> baseband -> wireless system.

Key features include 100 W typical output power, 33.5 dB linear gain across the 869-960 MHz band, integrated ESD protection, on-chip matching that eliminates external baluns or harmonic filters, and a thermally enhanced gull-wing lead package designed for efficiency-cooling PCB layouts. The broadband response makes a single part number usable across multiple GSM/EDGE channel allocations, simplifying BOM and inventory for multi-band base-station designs.

Typical applications include GSM and GSM/EDGE macro base stations, cellular repeaters, industrial-radio links, and any large-signal common-source amplifier stage in the 800-1000 MHz region. When designing with this part, ensure the PCB thermal plane keeps the case- temperature below 100 C; given the 100 W dissipation and high supply voltage, a substantial copper area or forced-air cooling is mandatory for continuous CW operation.

חלופות תחליף ישיר עבור MWE6IC9100NR1 — אותו מארז, תואם פין-לפין. חלקים במארז שונה הדורשים עיבוד מחדש של ה-PCB אינם נכללים.

אין חלופות תואמות Drop-in עבור מוצר זה.

בקשת חלופות

MWE6IC9100NR1 דירוגים מרביים ומאפיינים חשמליים

Manufacturer NXP Semiconductors (formerly Freescale)
Part Type RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier
Frequency Range 869 MHz to 960 MHz
RF Type / Application GSM, EDGE
Typical Output Power 100 W (Pout, CW)
מתח אספקה פעיל 26 V (Vdd), 28 V supply rating
Maximum Supply Voltage 32 V (rated)
Power Gain 33.5 dB at 960 MHz
מארז / Case TO-270 WB-14 (gull-wing, flat leads)
סוג הרכבה Surface Mount
Packaging Tape and Reel (TR)
Lead Configuration Flat leads, gull-wing

מדריך תצורת פינים של MWE6IC9100NR1 to-270 wb-14 (gull-wing, flat leads)

תצורת פינים עבור MWE6IC9100NR1 (מארזת to-270 wb-14 (gull-wing, flat leads)). רכיב אנלוגי זה כולל פיני כניסה, יציאה ואספקת מתח. יש לעיין בגיליון הנתונים של היצרן לתצורות פיני איפוס היסט, פיצוי והפעלה. אידיאלי למעגלי עיצוב אותות ומגברים.

תרשים פינים של מארזת to-270 wb-14 (gull-wing, flat leads) עבור MWE6IC9100NR1

אין נתוני פריסת פינים מפורטים עבור MWE6IC9100NR1.

עיינו ב- גיליון נתונים עבור תצורת פינים מלאה.

יישומים טיפוסיים

MWE6IC9100NR1 מתאים עבור 3 יישוםs: עיבוד אותות, רכישת נתונים, עיבוד אודיו.

📊

עיבוד אותות

הגברה וסינון של אותות חיישנים באמצעות MWE6IC9100NR1.

📈

רכישת נתונים

המרת אותות אנלוגיים לעיבוד דיגיטלי עם MWE6IC9100NR1.

🎧

עיבוד אודיו

הגברה ועיבוד של אותות אודיו עם MWE6IC9100NR1.

אין שאלות נפוצות זמינות עבור מוצר זה.

נתוני עזר הנדסיים עבור MWE6IC9100NR1 — השוואה, הנחיות תכנון ומידע על תאימות.

מידע על תאימות

RoHS
Unknown
REACH
Unknown
AEC-Q100
Not Applicable
נטול עופרת
Unknown
נטול הלוגנים
Unknown
מינרלים של סכסוך
Unknown

Compliance data not present in the verified web data; confirm with NXP product page before design-in.

הנתונים אומתו בתאריך: 2026-10-15 — נתונים אומתו ונערכו על ידי צוות הנדסת הרכיבים של XAIPART

רכיבים ומונחים קשורים

NXP Semiconductors Freescale Semiconductor MWE6IC9100NR1 MW6IC9100N MW7IC18100NR1 MD7IC2050GNR1 MWE6IC9080GNR1 RF Power Amplifier RF PA LDMOS GSM EDGE TO-270 WB-14 Gull-wing package Base station Cellular repeater 869 MHz to 960 MHz 100 W output 26 V supply 33.5 dB gain
בקשת הצעת מחיר מהירה
מלא את כל הפרטים — צוות המכירות שלנו יגיב תוך 24 שעות
מספר חלק יצרן מארז QTY מחיר יעד סה"כ
✓
הצעת המחיר נשלחה!

נשיב לדוא"ל שלך בתוך 24 שעות

1
בקשת הצעת מחיר נשלחה
2
הצעת מחיר התקבלה
3
ההזמנה בוצעה
4
תשלום
5
נשלח
6
נמסר
צפה בפרטי בקשת הצעת המחיר