NXP Semiconductors

MWE6IC9100NR1 - 100W 26V GSM/EDGE RF LDMOS Amplifier | NXP

MPN: MWE6IC9100NR1 ✓ Hoạt động
26 V (Vdd), 28 V supply rating Vdss TO-270 WB-14 (gull-wing, flat leads) Package 869 MHz to 960 MHz Speed
MOQ: 1 |

MWE6IC9100NR1 Tóm tắt

The NXP MWE6IC9100NR1 is a 100 W wideband integrated RF power amplifier engineered for GSM and EDGE base-station applications from 869 MHz to 960 MHz, housed in a TO-270 WB-14 (gull-wing) surface-mount package. This multi-stage LDMOS (Laterally Diffused Metal-Oxide Semiconductor) power IC integrates on-chip input and output matching, a gain of 33.5 dB at 960 MHz, and operates from a 26 V DC supply with a 28 V absolute supply rating. The part was originally introduced by Freescale Semiconductor and is now sold under NXP following the 2015 acquisition, and remains in active production as a building block for cellular infrastructure.

An RF power amplifier (PA) is the final active stage in a wireless transmitter that boosts a low-amplitude radio signal up to watt-level power so it can reach a base-station antenna or the radiated-power budget mandated by a given air interface. LD-MOS is the dominant process technology for sub-3 GHz high-power PAs because of its high breakdown voltage, high gain, and excellent RF ruggedness. NXP's "MWxxIC" family sits at the top of the power-management hierarchy: PA module -> RF front-end -> transceiver -> baseband -> wireless system.

Key features include 100 W typical output power, 33.5 dB linear gain across the 869-960 MHz band, integrated ESD protection, on-chip matching that eliminates external baluns or harmonic filters, and a thermally enhanced gull-wing lead package designed for efficiency-cooling PCB layouts. The broadband response makes a single part number usable across multiple GSM/EDGE channel allocations, simplifying BOM and inventory for multi-band base-station designs.

Typical applications include GSM and GSM/EDGE macro base stations, cellular repeaters, industrial-radio links, and any large-signal common-source amplifier stage in the 800-1000 MHz region. When designing with this part, ensure the PCB thermal plane keeps the case- temperature below 100 C; given the 100 W dissipation and high supply voltage, a substantial copper area or forced-air cooling is mandatory for continuous CW operation.

Bộ thay thế dễ dàng lắp đặt cho MWE6IC9100NR1 — cùng gói, chân-to-chân tương thích. Các bộ phận yêu cầu hàn PCB bị loại trừ.

Không có bộ thay thế dễ dàng lắp đặt sẵn có cho sản phẩm này.

Yêu cầu các bộ thay thế

MWE6IC9100NR1 Tỷ lệ tối đa & tính chất điện

Manufacturer NXP Semiconductors (formerly Freescale)
Part Type RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier
Frequency Range 869 MHz to 960 MHz
RF Type / Application GSM, EDGE
Typical Output Power 100 W (Pout, CW)
Điện áp cung cấp hoạt động 26 V (Vdd), 28 V supply rating
Maximum Supply Voltage 32 V (rated)
Power Gain 33.5 dB at 960 MHz
Hộp / Vỏ TO-270 WB-14 (gull-wing, flat leads)
Kiểu lắp đặt Surface Mount
Packaging Tape and Reel (TR)
Lead Configuration Flat leads, gull-wing

Hướng dẫn cấu hình chân MWE6IC9100NR1 to-270 wb-14 (gull-wing, flat leads)

Cấu hình chân cho MWE6IC9100NR1 (to-270 wb-14 (gull-wing, flat leads) gói). Thành phần số hiệu này có chân đầu vào, đầu ra và nguồn cung cấp. Tham khảo tài liệu thông số kỹ thuật của nhà sản xuất để biết cấu hình chân bù, bù trừ và chân kích hoạt. Hoàn hảo cho điều kiện tín hiệu và mạch khuếch đại.

Bảng cấu hình chân to-270 wb-14 (gull-wing, flat leads) cho MWE6IC9100NR1

Không có dữ liệu chân cụ thể sẵn có cho MWE6IC9100NR1.

Tham khảo: tài liệu kỹ thuật cho cấu hình chân đầy đủ.

Ứng dụng tiêu biểu

MWE6IC9100NR1 phù hợp cho 3 Áp dụngs: Điều kiện tín hiệu, Thiết bị thu thập dữ liệu, Xử lý âm thanh.

📊

Điều kiện tín hiệu

Phân tích và lọc tín hiệu cảm biến sử dụng MWE6IC9100NR1.

📈

Thiết bị thu thập dữ liệu

Chuyển đổi tín hiệu tương tự thành quá trình số sử dụng MWE6IC9100NR1.

🎧

Xử lý âm thanh

Phân tích và khuếch đại tín hiệu âm thanh sử dụng MWE6IC9100NR1.

Không có Câu hỏi thường gặp sẵn có cho sản phẩm này.

Dữ liệu tham khảo kỹ thuật cho MWE6IC9100NR1 — so sánh, hướng dẫn thiết kế và thông tin tuân thủ.

Thông tin tuân thủ

RoHS
Unknown
REACH
Unknown
AEC-Q100
Not Applicable
Không chì
Unknown
Không halogen
Unknown
Khoáng vật xung đột
Unknown

Compliance data not present in the verified web data; confirm with NXP product page before design-in.

Dữ liệu được xác minh vào: 2026-10-15 — dữ liệu được xác minh và quản lý bởi đội ngũ kỹ thuật phần cứng của XAIPART

Các bộ phận và thuật ngữ liên quan

NXP Semiconductors Freescale Semiconductor MWE6IC9100NR1 MW6IC9100N MW7IC18100NR1 MD7IC2050GNR1 MWE6IC9080GNR1 RF Power Amplifier RF PA LDMOS GSM EDGE TO-270 WB-14 Gull-wing package Base station Cellular repeater 869 MHz to 960 MHz 100 W output 26 V supply 33.5 dB gain
Báo giá nhanh RFQ
Hãy điền đầy đủ thông tin — đội ngũ bán hàng của chúng tôi sẽ phản hồi trong vòng 24 giờ
Mã sản phẩm Nhà sản xuất Kiểu đóng gói QTY Giá mục tiêu Phụ
✓
Báo giá đã gửi!

Chúng tôi sẽ trả lời email của bạn trong vòng 24 giờ

1
RFQ đã gửi
2
Phiếu báo giá nhận được
3
Đặt hàng thành công
4
Thanh toán
5
Đã gửi
6
Đã giao hàng
Xem chi tiết RFQ