MWE6IC9100NR1 - 100W 26V GSM/EDGE RF LDMOS Amplifier | NXP
MPN: MWE6IC9100NR1 ✓ AktifMWE6IC9100NR1 Genel Bakış
An RF power amplifier (PA) is the final active stage in a wireless transmitter that boosts a low-amplitude radio signal up to watt-level power so it can reach a base-station antenna or the radiated-power budget mandated by a given air interface. LD-MOS is the dominant process technology for sub-3 GHz high-power PAs because of its high breakdown voltage, high gain, and excellent RF ruggedness. NXP's "MWxxIC" family sits at the top of the power-management hierarchy: PA module -> RF front-end -> transceiver -> baseband -> wireless system.
Key features include 100 W typical output power, 33.5 dB linear gain across the 869-960 MHz band, integrated ESD protection, on-chip matching that eliminates external baluns or harmonic filters, and a thermally enhanced gull-wing lead package designed for efficiency-cooling PCB layouts. The broadband response makes a single part number usable across multiple GSM/EDGE channel allocations, simplifying BOM and inventory for multi-band base-station designs.
Typical applications include GSM and GSM/EDGE macro base stations, cellular repeaters, industrial-radio links, and any large-signal common-source amplifier stage in the 800-1000 MHz region. When designing with this part, ensure the PCB thermal plane keeps the case- temperature below 100 C; given the 100 W dissipation and high supply voltage, a substantial copper area or forced-air cooling is mandatory for continuous CW operation.
Drop-in alternatifler için MWE6IC9100NR1 — aynı paket, pin-başına uyumlu. PCB yeniden montajı gerektiren farklı paket bileşenleri dışlanmıştır.
Bu ürüne yer değiştirme seçenekleri mevcut değil.
Alternatifleri Talep EdinMWE6IC9100NR1 Maksimum Değerlendirmeler & Elektriksel Özellikler
| Manufacturer | NXP Semiconductors (formerly Freescale) |
| Part Type | RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier |
| Frequency Range | 869 MHz to 960 MHz |
| RF Type / Application | GSM, EDGE |
| Typical Output Power | 100 W (Pout, CW) |
| İşletim Besleme Gerilimi | 26 V (Vdd), 28 V supply rating |
| Maximum Supply Voltage | 32 V (rated) |
| Power Gain | 33.5 dB at 960 MHz |
| Paket / Kas | TO-270 WB-14 (gull-wing, flat leads) |
| Montaj Türü | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel (TR) |
| Lead Configuration | Flat leads, gull-wing |
MWE6IC9100NR1 to-270 wb-14 (gull-wing, flat leads) Pin Yapısı Kılavuzu
MWE6IC9100NR1 (to-270 wb-14 (gull-wing, flat leads) paket) için pin yapısı. Bu analog bileşen, giriş, çıkış ve güç besleme pinleri içerir. Ofset null, telafi ve etkinleştirme pin yapılandırmaları için üretici veri kitapçığını referans alın. Sinyal işleme ve güç amplifikasyon devreleri için mükemmel bir bileşendir.
Ayrıntılı pin çıkış verisi mevcut değil: MWE6IC9100NR1.
Aşağıdaki veri sayfası tam pin konfigürasyonu için.
Tipik Uygulamalar
MWE6IC9100NR1 için uygundur 3 uygulamas: Sinyal İşleme, Veri Toplama, Ses İşleme.
Sinyal İşleme
MWE6IC9100NR1 kullanarak sensör sinyallerini güçlendirme ve filtreleme.
Veri Toplama
MWE6IC9100NR1 ile analitik sinyallerin dijital işleme için dönüştürülmesi.
Ses İşleme
MWE6IC9100NR1 ile ses sinyalinin güçlendirilmesi ve işlenmesi.
Bu ürüne FAQ mevcut değil.
Mühendislik referans verileri: MWE6IC9100NR1 — karşılaştırma, tasarım rehberi ve uyumluluk bilgileri.
Uyumluluk Bilgisi
Compliance data not present in the verified web data; confirm with NXP product page before design-in.
