NXP Semiconductors

MWE6IC9100NR1 - 100W 26V GSM/EDGE RF LDMOS Amplifier | NXP

MPN: MWE6IC9100NR1 ✓ সক্রিয়
26 V (Vdd), 28 V supply rating Vdss TO-270 WB-14 (gull-wing, flat leads) Package 869 MHz to 960 MHz Speed
সর্বনিম্ন অর্ডার পরিমাণ: 1 |

MWE6IC9100NR1 সারাংশ

The NXP MWE6IC9100NR1 is a 100 W wideband integrated RF power amplifier engineered for GSM and EDGE base-station applications from 869 MHz to 960 MHz, housed in a TO-270 WB-14 (gull-wing) surface-mount package. This multi-stage LDMOS (Laterally Diffused Metal-Oxide Semiconductor) power IC integrates on-chip input and output matching, a gain of 33.5 dB at 960 MHz, and operates from a 26 V DC supply with a 28 V absolute supply rating. The part was originally introduced by Freescale Semiconductor and is now sold under NXP following the 2015 acquisition, and remains in active production as a building block for cellular infrastructure.

An RF power amplifier (PA) is the final active stage in a wireless transmitter that boosts a low-amplitude radio signal up to watt-level power so it can reach a base-station antenna or the radiated-power budget mandated by a given air interface. LD-MOS is the dominant process technology for sub-3 GHz high-power PAs because of its high breakdown voltage, high gain, and excellent RF ruggedness. NXP's "MWxxIC" family sits at the top of the power-management hierarchy: PA module -> RF front-end -> transceiver -> baseband -> wireless system.

Key features include 100 W typical output power, 33.5 dB linear gain across the 869-960 MHz band, integrated ESD protection, on-chip matching that eliminates external baluns or harmonic filters, and a thermally enhanced gull-wing lead package designed for efficiency-cooling PCB layouts. The broadband response makes a single part number usable across multiple GSM/EDGE channel allocations, simplifying BOM and inventory for multi-band base-station designs.

Typical applications include GSM and GSM/EDGE macro base stations, cellular repeaters, industrial-radio links, and any large-signal common-source amplifier stage in the 800-1000 MHz region. When designing with this part, ensure the PCB thermal plane keeps the case- temperature below 100 C; given the 100 W dissipation and high supply voltage, a substantial copper area or forced-air cooling is mandatory for continuous CW operation.

এর জন্য ড্রপ-ইন বিকল্প MWE6IC9100NR1 — একই package, pin-to-pin compatible। ভিন্ন package-এর যেসব পার্টে PCB rework প্রয়োজন সেগুলো বাদ দেওয়া হয়েছে।

এই পণ্যের জন্য কোনো ড্রপ-ইন বিকল্প পাওয়া যায়নি।

বিকল্প অনুরোধ করুন

MWE6IC9100NR1 সর্বোচ্চ রেটিং ও বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্য

Manufacturer NXP Semiconductors (formerly Freescale)
Part Type RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier
Frequency Range 869 MHz to 960 MHz
RF Type / Application GSM, EDGE
Typical Output Power 100 W (Pout, CW)
অপারেটিং সাপ্লাই ভোল্টেজ 26 V (Vdd), 28 V supply rating
Maximum Supply Voltage 32 V (rated)
Power Gain 33.5 dB at 960 MHz
প্যাকেজ / কেস TO-270 WB-14 (gull-wing, flat leads)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount
Packaging Tape and Reel (TR)
Lead Configuration Flat leads, gull-wing

MWE6IC9100NR1 to-270 wb-14 (gull-wing, flat leads) পিন কনফিগারেশন গাইড

MWE6IC9100NR1 (to-270 wb-14 (gull-wing, flat leads) প্যাকেজ)-এর পিন কনফিগারেশন। এই অ্যানালগ কম্পোনেন্টে ইনপুট, আউটপুট ও পাওয়ার সাপ্লাই পিন রয়েছে। অফসেট নাল, কম্পেনসেশন ও এনেবল পিন কনফিগারেশনের জন্য প্রস্তুতকারকের ডেটাশিট দেখুন। সিগন্যাল কন্ডিশনিং ও অ্যামপ্লিফায়ার সার্কিটের জন্য আদর্শ।

MWE6IC9100NR1-এর জন্য to-270 wb-14 (gull-wing, flat leads) প্যাকেজ পিনআউট ডায়াগ্রাম

এর জন্য বিস্তারিত পিনআউট ডেটা পাওয়া যায়নি MWE6IC9100NR1.

দেখুন ডেটাশিট সম্পূর্ণ পিন কনফিগারেশনের জন্য।

সাধারণ ব্যবহার

MWE6IC9100NR1 এর জন্য উপযুক্ত 3 অ্যাপ্লিকেশনs: সিগন্যাল কন্ডিশনিং, ডেটা অ্যাকুইজিশন, অডিও প্রসেসিং.

📊

সিগন্যাল কন্ডিশনিং

MWE6IC9100NR1 ব্যবহার করে সেন্সর সিগন্যাল অ্যামপ্লিফাই ও ফিল্টারিং।

📈

ডেটা অ্যাকুইজিশন

MWE6IC9100NR1 দিয়ে ডিজিটাল প্রসেসিংয়ের জন্য অ্যানালগ সিগন্যাল রূপান্তর।

🎧

অডিও প্রসেসিং

MWE6IC9100NR1 দিয়ে অডিও সিগন্যাল অ্যামপ্লিফিকেশন ও প্রসেসিং।

এই পণ্যের জন্য কোনো FAQ পাওয়া যায়নি।

এর জন্য ইঞ্জিনিয়ারিং রেফারেন্স ডেটা MWE6IC9100NR1 — তুলনা, ডিজাইন গাইডেন্স এবং কমপ্লায়েন্স তথ্য।

কমপ্লায়েন্স তথ্য

RoHS
Unknown
REACH
Unknown
AEC-Q100
Not Applicable
লিড ফ্রি
Unknown
হ্যালোজেন ফ্রি
Unknown
কনফ্লিক্ট মিনারেলস
Unknown

Compliance data not present in the verified web data; confirm with NXP product page before design-in.

ডেটা যাচাই করা হয়েছে: 2026-10-15 — ডেটা XAIPART-এর কম্পোনেন্ট ইঞ্জিনিয়ারিং টিম দ্বারা যাচাই ও কিউরেট করা হয়েছে

সম্পর্কিত কম্পোনেন্ট ও শর্তাবলী

NXP Semiconductors Freescale Semiconductor MWE6IC9100NR1 MW6IC9100N MW7IC18100NR1 MD7IC2050GNR1 MWE6IC9080GNR1 RF Power Amplifier RF PA LDMOS GSM EDGE TO-270 WB-14 Gull-wing package Base station Cellular repeater 869 MHz to 960 MHz 100 W output 26 V supply 33.5 dB gain
তাৎক্ষণিক বিলওয়াছে রেকোজিউইট
সম্পূর্ণ বিবরণ পূরণ করুন — আমাদের সেলস টিম 24 ঘণ্টার মধ্যে উত্তর দেবে
পার্ট নম্বর উৎপাদক প্যাকেজ QTY লক্ষ্যমূল্য প্রসারিত
✓
বিল প্রস্তুত করা হয়েছে!

আমরা ২৪ ঘণ্টার মধ্যে আপনার ইমেইলে প্রত্যুত্তর দেব

1
RFQ জমা হয়েছে
2
কোটেশন পাওয়া গেছে
3
অর্ডার দেওয়া হয়েছে
4
পেমেন্ট
5
শিপ করা হয়েছে
6
ডেলিভারি হয়েছে
RFQ বিবরণ দেখুন