MT41K256M16TW-093 vs K4B4G1646Q তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা MT41K256M16TW-093 নির্দিষ্ট Micron Technology ও K4B4G1646Q নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Micron Technology
MT41K256M16TW-093 - 4Gbit DDR3L SDRAM 1.066GHz | Micron
MT41K256M16TW-093 ✓ সক্রিয়
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | MT41K256M16TW-093 | K4B4G1646Q |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Micron Technology | Samsung Electronics |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| স্টক স্ট্যাটাস | In Stock | — |
| ইউনিট মূল্য (USD) | $15.50 | — |
| মেমরি টাইপ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| মেমরি সাইজ | 4Gbit (256M x 16) | — |
| ডেটা বাস প্রস্থ | 16 bit | 16 bits |
| Clock Frequency | 1.066 GHz | — |
| ডেটা রেট | 2133 MT/s | 1866 Mbps (PC3-14900) |
| Access Time | 20 ns | — |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | 1.35V |
| ইন্টারফেস টাইপ | Parallel | — |
| প্যাকেজ | 96-FBGA (8x14 mm) | 96-ball FBGA |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | 0°C to +95°C (TC) | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | — |
| REACH Status | Compliant | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Density | — | 4Gb |
| সংগঠন | — | 256M x 16 |
| Die | — | Q-die |
| Lead-Free | — | Yes |
| হ্যালোজেন মুক্ত | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Burst Length | — | 8 (BL8) |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| CAS লেটেন্সি | — | Programmable |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | — | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] |