MT41K256M16TW-093 vs K4B4G1646Q موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از MT41K256M16TW-093 بذریعہ Micron Technology اور K4B4G1646Q بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | MT41K256M16TW-093 | K4B4G1646Q |
|---|---|---|
| برانڈ | Micron Technology | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| اسٹاک کی حالت | In Stock | — |
| فی یونٹ قیمت (USD) | $15.50 | — |
| میموری ٹائپ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| میموری سائز | 4Gbit (256M x 16) | — |
| ڈیٹا بس چوڑائی | 16 bit | 16 bits |
| Clock Frequency | 1.066 GHz | — |
| ڈیٹا ریٹ | 2133 MT/s | 1866 Mbps (PC3-14900) |
| Access Time | 20 ns | — |
| سپلائی وولٹیج | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | 1.35V |
| انٹرفیس ٹائپ | Parallel | — |
| پیکیج | 96-FBGA (8x14 mm) | 96-ball FBGA |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | 0°C to +95°C (TC) | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| REACH Status | Compliant | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Density | — | 4Gb |
| تنظیم | — | 256M x 16 |
| Die | — | Q-die |
| Lead-Free | — | Yes |
| ہیلوجن فری | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Burst Length | — | 8 (BL8) |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| CAS لیٹنسی | — | Programmable |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | — | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] |