MT41K256M16TW-093 vs K4B4G1646Q مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار MT41K256M16TW-093 توسط Micron Technology و K4B4G1646Q توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | MT41K256M16TW-093 | K4B4G1646Q |
|---|---|---|
| برند | Micron Technology | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| وضعیت موجودی | In Stock | — |
| قیمت واحد (USD) | $15.50 | — |
| نوع حافظه | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| اندازه حافظه | 4Gbit (256M x 16) | — |
| عرض گذرگاه داده | 16 bit | 16 bits |
| Clock Frequency | 1.066 GHz | — |
| نرخ داده | 2133 MT/s | 1866 Mbps (PC3-14900) |
| Access Time | 20 ns | — |
| ولتاژ تغذیه | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | 1.35V |
| نوع رابط | Parallel | — |
| بسته‌بندی | 96-FBGA (8x14 mm) | 96-ball FBGA |
| نوع نصب | Surface Mount | — |
| محدوده دمای کاری | 0°C to +95°C (TC) | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | — |
| REACH Status | Compliant | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Density | — | 4Gb |
| سازمان | — | 256M x 16 |
| Die | — | Q-die |
| Lead-Free | — | Yes |
| بدون هالوژن | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Burst Length | — | 8 (BL8) |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| تأخیر CAS | — | Programmable |
| دمای کاری | — | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] |