MT41K256M16TW-093 vs K4B4G1646Q Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma MT41K256M16TW-093 tarafından Micron Technology ve K4B4G1646Q tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | MT41K256M16TW-093 | K4B4G1646Q |
|---|---|---|
| Marka | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Stok Durumu | In Stock | — |
| Birim Fiyat (USD) | $15,50 | — |
| Bellek Türü | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Bellek Boyutu | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Veri Bus Genişliği | 16 bit | 16 bits |
| Clock Frequency | 1.066 GHz | — |
| Veri Hızı | 2133 MT/s | 1866 Mbps (PC3-14900) |
| Access Time | 20 ns | — |
| Besleme Gerilimi | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | 1.35V |
| Arayüz Türü | Parallel | — |
| Paket | 96-FBGA (8x14 mm) | 96-ball FBGA |
| Montaj Türü | Surface Mount | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | 0°C to +95°C (TC) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | — |
| REACH Status | Compliant | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Density | — | 4Gb |
| Organizasyon | — | 256M x 16 |
| Die | — | Q-die |
| Lead-Free | — | Yes |
| Klorürsüz | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Burst Length | — | 8 (BL8) |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| CAS Gecikme | — | Programmable |
| İşletim Sıcaklığı | — | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] |