MT41K256M16TW-093 vs K4B4G1646Q مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MT41K256M16TW-093 بواسطة Micron Technology و K4B4G1646Q بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | MT41K256M16TW-093 | K4B4G1646Q |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Micron Technology | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| حالة المخزون | In Stock | — |
| سعر الوحدة (USD) | $15.50 | — |
| نوع الذاكرة | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| حجم الذاكرة | 4Gbit (256M x 16) | — |
| عرض ناقل البيانات | 16 bit | 16 bits |
| Clock Frequency | 1.066 GHz | — |
| معدل البيانات | 2133 MT/s | 1866 Mbps (PC3-14900) |
| Access Time | 20 ns | — |
| جهد التغذية | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | 1.35V |
| نوع الواجهة | Parallel | — |
| العلبة | 96-FBGA (8x14 mm) | 96-ball FBGA |
| نوع التركيب | Surface Mount | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | 0°C to +95°C (TC) | — |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| REACH Status | Compliant | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Density | — | 4Gb |
| التنظيم | — | 256M x 16 |
| Die | — | Q-die |
| Lead-Free | — | Yes |
| خالٍ من الهالوجين | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Burst Length | — | 8 (BL8) |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| زمن الوصول CAS | — | Programmable |
| درجة حرارة التشغيل | — | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] |