MT41K256M16TW-093 vs K4B4G1646Q तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना MT41K256M16TW-093 द्वारा Micron Technology और K4B4G1646Q द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Micron Technology
MT41K256M16TW-093 - 4Gbit DDR3L SDRAM 1.066GHz | Micron
MT41K256M16TW-093 ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | MT41K256M16TW-093 | K4B4G1646Q |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| स्टॉक स्थिति | In Stock | — |
| यूनिट मूल्य (USD) | $15.50 | — |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| मेमोरी आकार | 4Gbit (256M x 16) | — |
| डेटा बस चौड़ाई | 16 bit | 16 bits |
| Clock Frequency | 1.066 GHz | — |
| डेटा दर | 2133 MT/s | 1866 Mbps (PC3-14900) |
| Access Time | 20 ns | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | 1.35V |
| इंटरफ़ेस प्रकार | Parallel | — |
| पैकेज | 96-FBGA (8x14 mm) | 96-ball FBGA |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | 0°C to +95°C (TC) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| REACH Status | Compliant | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Density | — | 4Gb |
| संगठन | — | 256M x 16 |
| Die | — | Q-die |
| Lead-Free | — | Yes |
| हैलोजन फ्री | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Burst Length | — | 8 (BL8) |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| CAS लेटेंसी | — | Programmable |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] |