MT41K256M16TW-093 vs K4B4G1646Q 比較
詳細並排比較 MT41K256M16TW-093 由 Micron Technology 與 K4B4G1646Q 由 Samsung Electronics. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況，以找出最符合您設計需求的元件。
規格比較
| 參數 | MT41K256M16TW-093 | K4B4G1646Q |
|---|---|---|
| 品牌 | Micron Technology | Samsung Electronics |
| 類別 | Memory ICs | Memory ICs |
| 生命週期狀態 | 啟用中 | 啟用中 |
| 庫存狀態 | In Stock | — |
| 單價 (USD) | $15.50 | — |
| 記憶體類型 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| 記憶體容量 | 4Gbit (256M x 16) | — |
| 資料匯流排寬度 | 16 bit | 16 bits |
| Clock Frequency | 1.066 GHz | — |
| 資料速率 | 2133 MT/s | 1866 Mbps (PC3-14900) |
| Access Time | 20 ns | — |
| 供應電壓 | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | 1.35V |
| 介面類型 | Parallel | — |
| 封裝 | 96-FBGA (8x14 mm) | 96-ball FBGA |
| 安裝類型 | Surface Mount | — |
| 工作溫度範圍 | 0°C to +95°C (TC) | — |
| RoHS 狀態 | Compliant | — |
| REACH Status | Compliant | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Density | — | 4Gb |
| 組織 | — | 256M x 16 |
| Die | — | Q-die |
| Lead-Free | — | Yes |
| 無鹵素 | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Burst Length | — | 8 (BL8) |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| CAS 延遲 | — | Programmable |
| 工作溫度 | — | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] |