MT41K256M16TW-093 vs K4B4G1646Q השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של MT41K256M16TW-093 מאת Micron Technology ו K4B4G1646Q מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | MT41K256M16TW-093 | K4B4G1646Q |
|---|---|---|
| מותג | Micron Technology | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סטטוס מלאי | In Stock | — |
| מחיר ליחידה (USD) | $15.50 | — |
| סוג זיכרון | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| גודל זיכרון | 4Gbit (256M x 16) | — |
| רוחב אפיק נתונים | 16 bit | 16 bits |
| Clock Frequency | 1.066 GHz | — |
| קצב נתונים | 2133 MT/s | 1866 Mbps (PC3-14900) |
| Access Time | 20 ns | — |
| מתח אספקה | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | 1.35V |
| סוג ממשק | Parallel | — |
| מארז | 96-FBGA (8x14 mm) | 96-ball FBGA |
| סוג הרכבה | Surface Mount | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | 0°C to +95°C (TC) | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | — |
| REACH Status | Compliant | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Density | — | 4Gb |
| ארגון | — | 256M x 16 |
| Die | — | Q-die |
| Lead-Free | — | Yes |
| נטול הלוגנים | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Burst Length | — | 8 (BL8) |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| השהיית CAS | — | Programmable |
| טמפרטורת פעולה | — | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] |